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北大用ALD研制出15纳米碳纳米管CMOS器件
- 分类：公司新闻
- 宣布时间：2012-10-20
- 会见量：0
【提要形貌】北京大学接纳嘉兴u乐国际电子公司ALD装备 (TALD-100)乐成研制栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件 。其中要害的HfO2高k栅介质是由嘉兴u乐国际电子ALD制备 ，该介质CV曲线没有迴线 ，不保存短沟道效应和泄电 。
北大用ALD研制出15纳米碳纳米管CMOS器件
【提要形貌】北京大学接纳嘉兴u乐国际电子公司ALD装备 (TALD-100)乐成研制栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件 。其中要害的HfO2高k栅介质是由嘉兴u乐国际电子ALD制备 ，该介质CV曲线没有迴线 ，不保存短沟道效应和泄电 。
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- 宣布时间：2012-10-20
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北京大学接纳嘉兴u乐国际电子公司ALD装备 (TALD-100)乐成研制栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件 。其中要害的HfO2高k栅介质是由嘉兴u乐国际电子ALD制备 ，该介质CV曲线没有迴线 ，不保存短沟道效应和泄电 。TALD-100是由美国硅谷专家和中科院专家团结研发 ，装备内腔接纳SiC高集成设计 ，前驱体源消耗只是通常的20% ，可低温生长种种高质量薄膜 。
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